| preferate.ro - Regimul dinamic al tranzistorului bipolar | |
| Adauga referat | Contact | Publicitate |
| Prima pagina > Fizica > Detaliu referat |
|
Bacalaureat 2010
Vezi subiectele examenului de Bacalaureat din 2010 Rezultat Bacalaureat 2010 Aici se vor afisa rezultatele examenului de Bacalaureat din 2010
Teze Cu Subiect Unic 2010 informatii si sfaturi pentru pregatirea examenelor Lucrari licenta licente unice pentru orice specializare Referat :: Regimul dinamic al tranzistorului bipolarRIEDEL ANDREI Grupa 421 B REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR Scopul lucrării Lucrarea are drept scop studierea regimului dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecventă joasă, fixă, determinarea principalilor parametrii ai circuitului echivalent natural si demonstrarea dependentei lor de punctul static de functionare. Tehnica de polarizare aleasă permite atât modificarea PSF-ului tranzistorului, cât si măsurarea precisă a curentului de intrare. Aparate necesare: - sursă de tensiune continuă, reglabilă 0-24 V; - sursă de semnal sinusoidal, reglabilă; - multimetru electronic; - osciloscop. Determinări experimentale Determinarea parametrilor F, 0, gm, rbe 1. Se realizează configuratia de circuit de mai jos si se fixează PSF-ul tranzistorului la fiecare din seturile de valori indicate in tabelul 3. 1. Se masoară potentialele continue VBB si VBE la capetele rezistentei Rb; valorile se trec in tabelul 3. 1. 2. La intrarea circuitului se aplică un semnal sinusoidal de 10 kHz a cărui amplitudine se reglează astfel încât Vi=2 mV. Se masoară potentialele alternative V si V0 si se trec in tabelul 3. 1. Tabelul 3. 1 VCC VCE IC (mA) VBB VBE V V0 (mV) gm (mA/V) RI=rbe (kW) (V) (V) (V) (V) (mV) 8 4 1 0. 98 0. 61 28. 1 8. 3 270. 27 318. 01 41. 5 7. 6 12 4 2 1. 33 0. 63 53. 6 17 285. 71 329. 45 85 3. 87 16 4 3 1. 64 0. 64 73. 5 23 300 359 115 3 20 4 4 1. 93 0. 65 82. 8 31. 6 313 391 158 2 20 12 2 1. 25 0. 62 48. 4 17. 1 317 369 85. 5 4 Tabelul s-a completat cu ajutorul urmatoarelor formule: ,; Determinarea rezistentei de iesire a tranzistorului, rce 5. Se realizează circuitul de mai jos si se fixează PSF-ul la valorile indicate in tabelul 3. 2. Se aplică un semnal sinusoidal de 10 kHz a cărui amplitudine Vs se reglează astfel încât V0=0. 4 V. Se masoară V si valorile se trec in tabelul 3. 2. Tabelul 3. 2 IC (mA) 1 2 4 2 VCE (V) 4 4 4 12 V (V) 1. 74 1. 76 1. 86 1. 73 Rce (k) 34. 28 30 18. 46 28. 5 rce s-a determinat cu ajutorul formulei. Prelucrarea datelor experimentale. Concluzii 1. In graficul de mai jos s-a reprezentat, pe baza datelor din tabelul 3. 1 variatia mărimilor F si 0 in functie de curentul IC (pentru VCE=4 V): Grafic: bF=f (Ic) Grafic: b0=f (Ic) In graficul de mai jos s-a reprezentat, pe baza datelor din tabelul 3. 1 variatia mărimilor rbe si gm-1 in functie de curentul IC (pentru VCE=4 V): Grafic: Rbe'=f (Ic) Grafic: gm-1=f(Ic) 2. Din datele experimentale, cit si din expresiile factorului de amplificare in c. c. si a factorului de amplificare in c. a. se observa ca F< 0; IC creste, Ib scade, rezulta ca si vor creste iar rbe scade. 3. Tabelul 3. 5 IC (mA) 1 2 3 4 2 gm exp. 41. 5 85 115 158 85. 5 (mA/V) calc. 40 80 120 160 80 Se observa ca valorile calculate si cele experimentale sunt foarte apropiate, aproximativ egale. 4. Daca tensiunea VCE creste, atunci factoriie amplificare F si 0 cresc deoarece tensiunile VBB, VBE, V si Vi scad si F si 0 sunt invers proportionali cu aceste tensiuni. 5. In graficul de mai jos s-a reprezentat rce in functie de IC: Grafic: Rce=f (Ic) ... Nota: Textul de mai sus reprezinta doar un extras din referat. Pentru versiunea completa a documentului apasa butonul Download.
|
Adauga un referat Sugestii |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Termeni si conditii |
![]() | |