• Referate Anatomie
• Referate Astronomie
• Automatica
• Referate Biologie
• Referate Chimie
• Referate Diverse
• Referate Drept
• Referate Economie
• Referate Engleza
• Referate Filosofie
• Referate Fizica
• Referate Franceza
• Referate Geografie
• Referate Germana
• Referate Informatica
• Referate Istorie
• Referate Marketing
• Referate Matematica
• Referate Medicina
• Referate Muzica
• Referate Psihologie
• Referate Religie
• Referate Romana

Link sponsorizat :

LUCRAREA NR. 1

DIODA SEMICONDUCTOARE

1. Scopul lucrării - Ridicarea caracteristicilor și determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.

(1. 1)

, un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, și mai apropiate de 2 pentru Si, care rezultă din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcină spațială la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importanță la diodele cu Si la temperatura camerei.

, are, la temperatura camerei, valori de ordinul de mărime, 1 (10 (A, pentru diodele din Ge și 1 (100 mA pentru diodele din Si.

La curenți direcți de ordinul 1 (10 mA (valori des întâlnite în practică) tensiunea directă pe diodă este de 0. 2 -0. 3 V pentru diodele din Ge respectiv 0. 6-0. 8 V pentru diodele din Si.

.

4. Dependența de temperatură a caracteristicii statice a unei diode semiconductioare este foarte puternică, înregistrându-se a dublare a curentului de saturație la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Această depedență poate fi pusă în evidență și prin coeficientul de variație a tensiunii directe de pe diodă cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa -2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

. Dar pentru tensiuni inverse aplicate diodei, regiunea de sarcină spațială se mărește și apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicată, cu valori relative importante pentru diodele de Si (în fig. 1. 1 contribuția acestui curent la cracteristica diodei a fost reprezentată punctat). La tensiuni de polarizare inversă mai mari, datorită fenomenului Zener, și fenomenului de multiplicare în avalanșă (predominant de obicei), curentul invers crește, valoare lui fiind limitată numai de circuitul exterior. Tensiunile de străpungere, la care apare această creștere a curentului, sunt dependente de natura materialului semiconductor, din care este realizat dispozitivul, precum și de concentrațiile de impurități, fiind cu atât mai mici cu cât concentrațiile de impurități sunt mai mari.

6. La tensiuni directe mari caracteristica statică tinde să se liniarizeze, datorită căderilor de tensiune pe zonele neutre ale joncțiunii PN, care nu mai pot fi neglijabile.

7. În circuitele electronice, diodele semiconductoare pot indeplini mai multe funcțiuni (redresare, detecție, limitare, etc.) în multe situații fiind necesară stabilirea unui regim static de funcționare.

(1. 4)
(1. 5).
(1. 6).
(1. 7).
DESFĂȘURAREA LUCRĂRII

. Alimentat în curent continuu între bornele 3 (+5 V) și 2 (masă), circuitul furnizează la borna 7 un curent reglabil între 0(50 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele închizându-se spre borna comună de masă (borna 2).

BZX 85 C7V5 (dioadă stabilizatoare de tensiune) cu curenți în domeniul 0, 1(20 mA (anodul este borna 6).

Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig. 1. 7; curentul prin diodă se măsoară cu un miliampermetru, pe o scară corespunzatoare de curenți, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferință voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comodă la scară logaritmică adică multiplii și submultiplii zecimali ai numerelor 1, 2 și r (ai căror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0. 3 respectiv 0. 7).

Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru curenți mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent.

Rezultatele măsurătorilor se vor trece într-un tabel.

= 5 mA se încălzește (cu mâna sau prin apropierea unui ciocan de lipit încălzit) dioda BA 243 și se constată, calitativ, modificarea tensiunii directe pe diodă.

(care se vor trece într-un tabel).
are valoarea din punctul de funcționare și se vor compara rezultatele.

(cu un miliampermetru montat în serie cu dioda) și se compară cu rezultatele obținute prin metoda grafoanalitică, la punctul precedent.

= 5 V. Se compară cu rezultatele obținute cu dioda BA 243 in aceleași condiții.
= 0, -5 V, -10 V, -20 V.

7. Se măsoară caracteristica inversă a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C7V5 cu montajul din fig. 1. 9, pentru curenți între 0. 1 mA și 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimentează cu +15 V (la borna 3), bornele 7 și 1 se conectează împreună printr-un miliampermetru iar tensiunea se măsoară cu un voltmetru electronic (numeric) (bornele 2 și 6 sunt și ele cuplate).

= 15 mA.

8. Se vizualizează, pe caracterograf, caracteristicile directe ale diodelor semiconductoare și caracteristica inversă a diodei stabilizatoare de tensiune.

9. Referatul va conține: schemele de principiu pentru ridicarea carcateristicilor directe și inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele măsurătorilor, graficele și determinările făcute pe ba...

Nota: Textul de mai sus reprezinta doar un extras din referat. Pentru versiunea completa a documentului apasa butonul Download.